- Molekularstrahl-Epitaxie
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Molekularstrahl-Epitaxie,Epitaxie.
Universal-Lexikon. 2012.
Universal-Lexikon. 2012.
Epitaxie — Epi|ta|xie 〈f. 19〉 Bildung von Kristallen eines Stoffes auf einer kristallinen Unterlage des gleichen od. eines anderen Stoffes mit weitgehend ähnlichem Kristallgitter [<grch. epi „auf, darüber“ + Taxie] * * * E|pi|ta|xie [↑ epi (5) u. ↑… … Universal-Lexikon
Max-Planck-Forschungspreis — Der Max Planck Forschungspreis fördert internationale Kooperationen deutscher und ausländischer Wissenschaftler, „von denen im Rahmen internationaler Kooperationen weitere wissenschaftliche Spitzenleistungen erwartet werden“. Das Programm… … Deutsch Wikipedia
Arthur Gossard — Arthur C. Gossard (* 18. Juni 1935 in Ottawa (Illinois)) ist ein US amerikanischer Festkörperphysiker. Gossard studierte an der Harvard University (Bachelor 1956) und promovierte 1960 an der University of California, Berkeley. Danach war er von… … Deutsch Wikipedia
Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
Molekularstrahlepitaxie — (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um Kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um Einkristalline Strukturen [1]… … Deutsch Wikipedia